Vurgulamak:
türü: |
ic, Alan Etkili Transistör, IGBT Transistör |
Çalışma sıcaklığı: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Seriler: |
/ |
Montaj Tipi: |
Çukurdan |
Açıklama: |
/ |
D/C: |
22+ |
Paket Türü: |
Düşünce Deliği |
Uygulama: |
irf transistörü |
Tedarikçi Türü: |
Diğerleri |
Çapraz referans: |
Yeni |
Medya Mevcut: |
Diğerleri |
Marka: |
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB |
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.): |
, |
Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: |
, |
DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
, |
Paket / Çanta: |
TO-220-3 |
Direnç - Taban (R1): |
, |
Direnç - Verici Tabanı (R2): |
, |
FET Tipi: |
P-Kanal |
FET Özelliği: |
Standart |
Kaynak Voltajına Tahliye (Vdss): |
200V |
Akım - Sürekli Tahliye (Id) @ 25°C: |
11A (TC) |
Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs: |
500mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Kimlik: |
4V @ 250uA |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds: |
1200pF @ 25V |
Sıklık: |
, |
Akım Değeri (Amper): |
, |
Gürültü Şekil: |
, |
Güç çıkışı: |
, |
Voltaj - Nominal: |
, |
Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık): |
10V |
Vgs (Maks.): |
±20V |
IGBT Tipi: |
, |
Yapılandırma: |
/ |
Vce(açık) (Maks) @ Vge, Ic: |
, |
Giriş Kapasitesi (Cies) @ Vce: |
, |
Giriş: |
, |
NTC Termistörü: |
, |
Gerilim - Arıza (V(BR)GSS): |
, |
Akım - Tahliye (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Mevcut Tahliye (Id) - Maks.: |
, |
Voltaj - Kesme (VGS kapalı) @ Id: |
/ |
Direnç - RDS(Açık): |
, |
Voltaj: |
, |
Gerilim - Çıkış: |
, |
Gerilim - Ofset (Vt): |
, |
Akım - Anot Sızıntısına Giden Kapı (Igao): |
, |
Akıntı - Vadi (Iv): |
, |
Akım - Tepe: |
, |
Başvurular: |
, |
Transistör Tipi: |
mrf150 rf güç transistörü |
Liman: |
Shenzhen |
Mesajınız 20-3.000 karakter arasında olmalıdır!