Ürünler

Evde > Ürünler > Mikron ISSI Samsung > PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Kategoriler

Texas Instruments Ulusal Yarı İletken

(1485)

Infineon Elektronik Bileşenler

(161)

Dirençler ve Kondansatörler

(3013)

İletişim

İletişim: Miss. Abby

Tel: 86-130-4904-4451

Faksla.:

Şimdi iletişime geçin

Bize e-posta gönderin.

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Name: PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107 IT:P
Price: 2.98 USD
Availability: InStock

Ürün Ayrıntıları

Menşe yeri: Amerika Birleşik Devletleri

Marka adı: Micron

Model numarası: MT41K256M16TW-107 IT:P

Ödeme ve Nakliye Şartları

Min sipariş miktarı: 1

Fiyat: 0.98-5.68/PC

Ambalaj bilgileri: Standart

Ödeme koşulları: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Yetenek temini: haftada 10000 adet

En İyi Fiyatı Alın

Ürün Ayrıntıları

Ürün Tanımı

Vurgulamak: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Merrillchip Micron ISSI Samsung, Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT, 4GBIT mt41k256m16tw 107 it p
                              

Ürün Kategorisi:	MİKRON	Seri:	MT41K256M16TW-107 IT:P
Montaj Tarzı:	SMD/SMT	Paket / Kasa:	TQFP-64
Çekirdek:	AVR	Program Bellek Boyutu:	16 kB
Veri Yolu Genişliği:	8 bit	ADC Çözünürlüğü:	10 bit
Maksimum Saat Frekansı:	16 Mhz	G/Ç sayısı:	54 G/Ç
Veri RAM Boyutu:	1 kB	Besleme Gerilimi - Min:	1,8 volt
Besleme Gerilimi - Maks:	5,5 volt	Asgari Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C	ambalajlama:	Fare Makarası
Marka:	MİKRON	Veri RAM Tipi:	SRAM
Veri ROM Boyutu:	512B

Ürün Kategorisi:	MİKRON
Seri:	MT41K256M16TW-107 IT:P
Montaj Tarzı:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	TQFP-64
Çekirdek:	AVR
Program Bellek Boyutu:	16 kB
Veri Yolu Genişliği:	8 bit
ADC Çözünürlüğü:	10 bit
Maksimum Saat Frekansı:	16 Mhz
G/Ç sayısı:	54 G/Ç
Veri RAM Boyutu:	1 kB
Besleme Gerilimi - Min:	1,8 volt
Besleme Gerilimi - Maks:	5,5 volt
Asgari Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C
ambalajlama:	Fare Makarası
Marka:	MİKRON
Veri RAM Tipi:	SRAM
Veri ROM Boyutu:	512B

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Merrillchip Sıcak satış IC çipleri IC DRAM 4GBIT PARALEL Entegre devre Flash bellek EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 ben PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 0

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 1

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 2

MT41K256M16TW-107 IT:P

DDR3 SDRAM, yüksek hızlı çalışma sağlamak için çift veri hızı mimarisi kullanır.Çift veri hızı mimarisi,
I/O pinlerinde saat döngüsü başına iki veri kelimesini aktarmak için tasarlanmış bir arayüze sahip 8n-prefetch mimarisi.
DDR3 SDRAM için tek bir okuma veya yazma işlemi, etkili bir şekilde tek bir 8n-bit genişliğinde, dört saat döngüsü veri aktarımından oluşur
dahili DRAM çekirdeğinde ve G/Ç pinlerinde karşılık gelen sekiz n-bit genişliğinde, bir yarım saat çevrimli veri aktarımı.bu
diferansiyel veri flaşı (DQS, DQS#), DDR3 SDRAM girişinde veri yakalamada kullanılmak üzere verilerle birlikte harici olarak iletilir
alıcı.DQS, YAZMA verileriyle merkeze hizalanmıştır.

	
			Üretici firma:

			Mikron Teknolojisi

			Ürün Kategorisi:

			DRAM

			RoHS:

			Detaylar

			Tip:

			SDRAM-DDR3L

			Montaj Stili:

			SMD/SMT

			Paket / Kasa:

			FBGA-96

			Veri Yolu Genişliği:

			16bit

			organizasyon:

			256 m x 16

			Hafıza boyutu:

			4 Gbit

			Maksimum Saat Frekansı:

			933 MHz

			Erişim süresi:

			20 sn

			Besleme Gerilimi - Maks:

			1,45V

			Besleme Gerilimi - Min:

			1,283 volt

			Besleme Akımı - Maks:

			46mA

			Asgari Çalışma Sıcaklığı:

			- 40 C

			Maksimum Çalışma Sıcaklığı:

			+ 95 C

			Seri:

			MT41K

			Ambalajlama:

			Tepsi

			Marka:

			Mikron

			Neme duyarlı:

			Evet

			Ürün tipi:

			DRAM

			Fabrika Paketi Miktarı:

			1224

			Alt kategori:

			Bellek ve Veri Depolama

			Ağırlık birimi:

			0.128468 ons

 
SSSS1: IC BOM'un teklifi hakkında?A1: Şirket, yurtiçi ve yurtdışındaki orijinal entegre devre üreticilerinin satın alma kanallarına ve müşteriler için yüksek kaliteli, düşük maliyetli elektronik bileşenleri seçmek için profesyonel bir ürün çözüm analiz ekibine sahiptir.
S2: PCB ve PCBA çözümleri için fiyat teklifi? 
A2: Şirketin profesyonel ekibi, müşteri tarafından sağlanan PCB ve PCBA çözümlerinin uygulama aralığını ve her bir elektronik bileşenin parametre gereksinimlerini analiz edecek ve nihai olarak müşterilere yüksek kaliteli ve düşük maliyetli teklif çözümleri sağlayacaktır.
S3: Bitmiş ürüne çip tasarımı hakkında?
A3: Eksiksiz bir gofret tasarımı, gofret üretimi, gofret testi, IC paketleme ve entegrasyonu ve IC ürün inceleme hizmetlerine sahibiz.
S4: Şirketimizin minimum sipariş miktarı (MOQ) gereksinimi var mı?
A4: Hayır, MOQ şartımız yok, prototiplerden seri üretimlere kadar projelerinizi destekleyebiliriz.
S5: Müşteri bilgilerinin sızdırılmaması nasıl sağlanır? 
Y5: Müşteri tarafındaki yerel yasalara göre NDA etkisini imzalamaya hazırız ve müşteri verilerini yüksek düzeyde gizli tutacağımıza söz veriyoruz.

Tags:

ORIGINAL IC Mosfet transistörü 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 Ses Çiftliği 2sa 1943 sc5200 5200 stokta Bipolar Transistörler

En İyi Fiyatı Alın

Üretici firma:	Mikron Teknolojisi
Ürün Kategorisi:	DRAM
RoHS:	Detaylar
Tip:	SDRAM-DDR3L
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	FBGA-96
Veri Yolu Genişliği:	16bit
organizasyon:	256 m x 16
Hafıza boyutu:	4 Gbit
Maksimum Saat Frekansı:	933 MHz
Erişim süresi:	20 sn
Besleme Gerilimi - Maks:	1,45V
Besleme Gerilimi - Min:	1,283 volt
Besleme Akımı - Maks:	46mA
Asgari Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 95 C
Seri:	MT41K
Ambalajlama:	Tepsi
Marka:	Mikron
Neme duyarlı:	Evet
Ürün tipi:	DRAM
Fabrika Paketi Miktarı:	1224
Alt kategori:	Bellek ve Veri Depolama
Ağırlık birimi:	0.128468 ons

Elektronik Bileşenler IC'leri

ST ICS

RENESAS IC

Analog Cihazlar ADI

Texas Instruments Ulusal Yarı İletken

ON Yarı İletken Fairchild

Serbest Ölçekli Yarı İletken

Vishay IC

Infineon Elektronik Bileşenler

Entegre Devreler IC

AOS IC

Atmel Elektronik Bileşenler

Altera Çip

Xilinx IC

Mikrodenetleyici MCU

Mikron ISSI Samsung

Diyot Triyot Transistör

ROHM UTC ICS

Mikroçip Entegre Devre

Dirençler ve Kondansatörler

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Merrillchip Micron ISSI Samsung

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

4GBIT mt41k256m16tw 107 it p

SSS

IS61C3216AL Mikron ISSI Samsung,

Ic Tümleşik Çip VFBGA-63,

Elektronik Bileşenler IC'leri

ST ICS

RENESAS IC

Analog Cihazlar ADI

Texas Instruments Ulusal Yarı İletken

ON Yarı İletken Fairchild

Serbest Ölçekli Yarı İletken