Ürünler

Evde > Ürünler > Mikron ISSI Samsung > PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Kategoriler

Texas Instruments Ulusal Yarı İletken

(1489)

Infineon Elektronik Bileşenler

(161)

Dirençler ve Kondansatörler

(3067)

İletişim

İletişim: Miss. Amy

Tel: 86-180-3344-1064

Faksla.:

Şimdi iletişime geçin

Bize e-posta gönderin.

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Name: PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107 IT:P
Price: 2.98 USD
Availability: InStock

Ürün Ayrıntıları

Menşe yeri: ABD

Marka adı: Micron

Model numarası: MT41K256M16TW-107 IT:P

Ödeme ve Nakliye Şartları

Min sipariş miktarı: 1

Fiyat: 0.98-5.68/PC

Ambalaj bilgileri: Standart

Ödeme koşulları: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Yetenek temini: haftada 10000 adet

En İyi Fiyatı Alın

Ürün Ayrıntıları

Ürün Tanımı

Vurgulamak: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Merrillchip Micron ISSI Samsung, Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT, 4GBIT mt41k256m16tw 107 o p
                              

Ürün Kategorisi:	MİKRON	Seriler:	MT41K256M16TW-107 IT:P
Montaj Tarzı:	SMD/SMT	Paket / Çanta:	TQFP-64
Çekirdek:	AVR	Program Bellek Boyutu:	16 kB
Veri Yolu Genişliği:	8 bit	ADC Çözünürlüğü:	10 bit
Maksimum Saat Frekansı:	16 Mhz	G/Ç sayısı:	54 G/Ç
Veri RAM Boyutu:	1 kB	Besleme Gerilimi - Min:	1,8 volt
Besleme Gerilimi - Maks:	5,5 volt	Asgari Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C	Paketleme:	Fare Makarası
Marka:	MİKRON	Veri RAM Tipi:	SRAM
Veri ROM Boyutu:	512B

Ürün Kategorisi:	MİKRON
Seriler:	MT41K256M16TW-107 IT:P
Montaj Tarzı:	SMD/SMT
Paket / Çanta:	TQFP-64
Çekirdek:	AVR
Program Bellek Boyutu:	16 kB
Veri Yolu Genişliği:	8 bit
ADC Çözünürlüğü:	10 bit
Maksimum Saat Frekansı:	16 Mhz
G/Ç sayısı:	54 G/Ç
Veri RAM Boyutu:	1 kB
Besleme Gerilimi - Min:	1,8 volt
Besleme Gerilimi - Maks:	5,5 volt
Asgari Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C
Paketleme:	Fare Makarası
Marka:	MİKRON
Veri RAM Tipi:	SRAM
Veri ROM Boyutu:	512B

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Merrillchip Sıcak satış IC çipleri IC DRAM 4GBIT PARALLEL Entegre devre Flash bellek EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 I PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 0

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 1

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 2

MT41K256M16TW-107 IT:P

DDR3 SDRAM, yüksek hızlı işletim elde etmek için çift veri hızı mimarisi kullanır.
8n-prefetch mimarisi, I/O pinlerinde saat döngüsü başına iki veri kelimesini aktarmak için tasarlanmış bir arayüzle.
DDR3 SDRAM için tek bir okuma veya yazma işlemi, etkili bir şekilde tek bir 8n-bit genişliğinde, dört saatlik döngü veri aktarımından oluşur.
İç DRAM çekirdeğinde ve sekiz eşdeğer n-bit genişliğinde, I/O pinlerinde bir yarım saatlik veri transferi.
DDR3 SDRAM girişinde veri yakalama için kullanmak için, farklılık veri strobosu (DQS, DQS#) verilerle birlikte dışa aktarılır
DQS, WRITE'ler için veriyle merkeze doğru hizalanmış.

Üreticisi:	Mikron Teknolojisi
Ürün kategorisi:	DRAM
RoHS:	Ayrıntılar
Tip:	SDRAM - DDR3L
Montaj tarzı:	SMD/SMT
Paket / Kutusu:	FBGA-96
Veri Sokağı Genişliği:	16 bit
Organizasyon:	256 M x 16
Bellek Boyutu:	4 Gbit
Maksimum Saat Sıklığı:	933 MHz
Erişim süresi:	20 ns
Besleme Voltajı - Max:	1.45 V
Güçlendirme Voltajı - Min:	1.283 V
Besleme akımı - Max:	46 mA
Asgari çalışma sıcaklığı:	- 40 C.
Maksimum çalışma sıcaklığı:	+ 95 C
Seri:	MT41K
Paketleme:	Tabak
Marka:	Mikron
Nem duyarlı:	- Evet.
Ürün Türü:	DRAM
Fabrika Paketi:	1224
Alt kategori:	Bellek ve Veri Depolama
Birim ağırlığı:	0.128468 oz

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 4

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 5

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 6

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 7

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 8

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 9

Sık Sorulan Sorular

S1: IC BOM'un fiyatlandırması hakkında?A1: Şirket, yüksek kaliteli seçmek için yerli ve yurtdışındaki orijinal entegre devre üreticilerinin tedarik kanallarına ve profesyonel bir ürün çözüm analizi ekibine sahiptir.Müşteriler için düşük maliyetli elektronik bileşenler.
S2: PCB ve PCBA çözümleri için teklif? 
A2: Şirketin profesyonel ekibi, müşteri tarafından sağlanan PCB ve PCBA çözümlerinin uygulama yelpazesini ve her elektronik bileşen için parametreler gereksinimlerini analiz edecektir.ve sonuçta müşterilere yüksek kaliteli ve düşük maliyetli teklif çözümleri sunar.
S3: Çip tasarımından bitmiş ürüne kadar?
A3: Wafer tasarımı, wafer üretimi, wafer testleri, IC ambalajı ve entegrasyonu ve IC ürün denetim hizmetlerinin tam bir setine sahibiz.
S4: Şirketimizin minimum sipariş miktarı (MOQ) gereksinimleri var mı?
A4: Hayır, MOQ gereksinimimiz yok, prototiplerden seri üretimlere kadar projelerinizi destekleyebiliriz.
S5:Müşteri bilgileri sızdırılmamasını nasıl sağlayabiliriz? 
A5: Müşteri tarafında yerel yasalar tarafından NDA etkisini imzalamaya istekliyiz ve müşteri verilerini yüksek gizli seviyede tutmaya söz veriyoruz.

Tags:

ORIGINAL IC Mosfet transistörü 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 Ses Çiftliği 2sa 1943 sc5200 5200 stokta Bipolar Transistörler

En İyi Fiyatı Alın

Elektronik Bileşenler IC'leri

ST ICS

RENESAS IC

Analog Cihazlar ADI

Texas Instruments Ulusal Yarı İletken

ON Yarı İletken Fairchild

Serbest ölçekli yarı iletken

Vishay IC

Infineon Elektronik Bileşenler

Entegre Devreler IC

AOS IC

Atmel Elektronik Bileşenler

Altera Çip

Xilinx IC

Mikro denetleyici MCU

Mikron ISSI Samsung

Diyot Triyot Transistör

ROHM UTC ICS

Mikroçip Entegre Devre

Dirençler ve Kondansatörler

PARALEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Merrillchip Micron ISSI Samsung

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

4GBIT mt41k256m16tw 107 o p

Sık Sorulan Sorular

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,

Entegre Devre (IC) VFBGA-63,

Elektronik Bileşenler IC'leri

ST ICS

RENESAS IC

Analog Cihazlar ADI

Texas Instruments Ulusal Yarı İletken

ON Yarı İletken Fairchild

Serbest ölçekli yarı iletken